Hersteller Samsung gab am gestrigen Dienstag bekannt, dass man die Entwicklungsarbeiten an ersten 30 nm DDR4-DRAM-Chips erfolgreich abgeschlossen hat. Die neuen DDR4-DRAMs arbeiten mit Geschwindigkeiten von bis zu 2,133 Gbps bei einer Spannung von 1,2 Volt. Im direkten Vergleich dazu erreicht DDR3-DRAM lediglich bis zu maximal 1,6 Gbps bei einer Versorgung von 1,35 bzw. 1,5 Volt. Vergangenen Dezember hat man bereits erste Muster eines 2 GB DDR4 Unbuffered DIMM-Modules an Entwicklungspartner verteilt. Für die zweite Hälfte 2011 plant Samsung die offizielle DDR4-Standardisierung durch die JEDEC.
Toshiba Electronics Europe präsentiert eine weitere Variante seiner portablen 2,5-Zoll-HDD1 Canvio Flex, die ein metallblaues Gehäuse besitzt. Mit der neuen...
Du willst ein Armband, das beim ersten Versuch richtig passt und bequem sitzt. Fang deshalb nicht bei Farbe oder Material...
Viele Menschen nutzen ihre Kopfhörer täglich – sei es bei der Arbeit, beim Gaming oder unterwegs. Doch nach längerer Nutzung...
Ein mobiles Klimagerät ist ein nützlicher Helfer in den heißen Sommermonaten. Es verschafft schnelle Abkühlung, kann die Luft entfeuchten und...
Toshiba Electronics Europe kündigt mit der M12-Serie neue 3,5-Zoll-Nearline-HDDs für Hyperscaler und Cloud Service Provider an, die große Rechenzentren betreiben....
Heute testen wir die mobile Klimaanlage Dreo AC516S, die für Räume von bis zu 40 m² geeignet ist. Das Gerät kann nicht nur kühlen, sondern beispielsweise auch die Luft entfeuchten. Mehr dazu im Test.
PNY bietet mit der CS3250 eine Familie von PCIe Gen5 SSDs an, die mit Speicherkapazitäten von bis zu 4 TB erhältlich sind. Die Drives erreichen bis zu 14.900 MB/s lesend. Wir haben das 1-TB-Modell getestet.