NEWS / Intel zeigt 85 nm Transistor auf Basis neuer Materialien

Intel gab heute die Entwicklung eines neuen und nach eigenen Angaben sehr schnellen Transistors bekannt. Der Prototyp mit niedrigem Stromverbrauch könnte Anfang des nächsten Jahrzehnts die Basis von Mikroprozessoren und anderen logischen Bauteilen werden, so Intel.

Wissenschaftler von Intel und QinetiQ haben zusammen einen Enhancement-Mode-Transistor gezeigt, der Indiumantimonid (chemisches Symbol: InSb) verwendet, um elektrische Ströme im Innern eines Mikroprozessors zu schalten. Dieser Prototyp ist schneller und verbraucht viel weniger Energie als bisher vorgestellte Transistoren. Intel erwartet, dass dieses neue Material Silizium ergänzt und damit das Moore´sche Gesetz weiter vorantreibt.

InSb ist ein III-V-Halbleiter und besteht aus Elementen der Gruppen III und V des Periodensystems. Diese Halbleiter werden heute in vielen eigenständigen und sehr kleinen integrierten Geräten wie Hochfrequenz-Verstärkern, Geräten, die mit Mikrowellen arbeiten und Halbleiter-Lasern verwendet.

Selbige Wissenschaftler von Intel und QinetiQ hatten bereits vor kurzem Transistoren mit InSb vorgestellt. Die heute vorgestellten Prototypen sind mit einer Gate Länge von 85 nm um mehr als die Hälfte kleiner. Damit sind sie die kleinsten jemals vorgestellten Enhancement-Mode-Transistoren. Enhancement-Mode-Transistoren sind die am weitest verbreiteten Transistoren bei Mikroprozessoren und anderen logischen Bauteilen. Diese Transistoren arbeiten mit einer reduzierten elektrischen Spannung von ungefähr 0,5 V. Dies ist in etwa die Hälfte dessen, was heutige Mikroprozessoren verbrauchen.