ad-banner

NEWS / AMD mit neuartiger Transistorentwicklung

19.09.2003 06:30 Uhr

Forscher von AMD haben auf der International Conference on Solid State Devices and Materials in Tokio Einzelheiten einer neuen Triple-Gate Transistorentwicklung präsentiert, die auf Silicon-on-Insulator-Technologie (SOI) sowie auf die Metal-Gate-Technologie zurückgreift. AMD´s Transistorentwicklung erzielt gegenüber bisher veröffentlichten Forschungen an Multi-Gate-Transistoren eine um bis zu 50 Prozent höhere Leistung und übertrifft damit die von der (ITRS) für 2009 definierten Anforderungen. AMD geht von einer Serienproduktion ab 2007 aus.

"Bei AMD´s neuster Entwicklung ist ein einzigartiger, ultradünner und in Fully Depleted Silicon-on-Insulator-Technologie (FDSOI) realisierter elektrischer Pfad an drei Seiten von Metal-Gates aus Nickel-Silicide umgeben. Diese Kombination aus FDSOITechnologie und Nickel-Silicide Metal-Gates sorgt für eine Streckung des Siliziumgitters innerhalb des elektrischen Pfads und verbessert so die Mobilität der Ladungsträger..."

Quelle: E-Mail, Autor: Patrick von Brunn

#AMD 

Kingston IronKey Locker+ 50 G2 64 GB Test
Kingston IronKey Locker+ 50 G2 64 GB Test
IronKey Locker+ 50 G2 64 GB

Der IronKey Locker+ 50 G2 von Kingston ist ein USB-Flashspeicher mit 256 Bit starker AES-HW-Verschlüsselung im XTS-Modus. Wir haben das 64-GB-Modell im Praxistest genauer begutachtet.

Samsung Odyssey OLED G6 G60SF im Test
Samsung Odyssey OLED G6 G60SF im Test
Odyssey OLED G6 G60SF

Mit dem Odyssey OLED G6 G60SF bietet Samsung einen QD-OLED Gaming-Monitor mit schnellem 500-Hz-Panel und WQHD-Auflösung an. Wir haben den 27 Zoll großen Monitor auf Herz und Nieren geprüft.