In den Forschungslabors von Infineon wurden verschiedene organische Materialien analysiert und ein breites Spektrum von Prozessen entwickelt. Diese können zukünftig bei der Fertigung Silizium-basierter DRAMs und anderer Speicher wie auch zur Herstellung organischer Transistoren und Schaltungen genutzt werden. Indem konventionelle Abscheidungsprozesse und Fotolithografie-Verfahren zur Fertigung dieser Komponenten verwendet werden, ist dieser Ansatz für eine kostengünstige Massenfertigung prädestiniert. Aufbauend auf diesen fundamentalen Technologien präsentierten die Wissenschaftler von Infineon auf der diesjährigen IEDM-Konferenz in Washington DC (8.-10. Dezember) in einer Reihe von Vorträgen Fortschritte bei Leistung, Zuverlässigkeit und Temperaturverhalten von Transistoren, Schaltungen und Speichern auf der Basis organischer Materialien. Diese Ergebnisse stellen einen Meilenstein auf dem Weg zur Nutzung organischer Materialien für zukünftige elektronische Bauelemente dar.
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